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RSF010P03TL 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

SOT-323-3

描述:

ROHM RSF010P03TL 晶体管, MOSFET, P沟道, -1 A, -30 V, 350 mohm, -10 V, -2.5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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RSF010P03TL 数据手册 (7 页)

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RSF010P03TL 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-323-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

350 mΩ

极性

P-Channel

功耗

800 mW

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

-1.00 A

上升时间

11 ns

输入电容值(Ciss)

120pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

800 mW

下降时间

12 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

800mW (Ta)

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RSF010P03TL 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

长度

2 mm

宽度

1.7 mm

高度

0.77 mm

工作温度

150℃ (TJ)

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RSF010P03TL 符合标准

RSF010P03TL 海关信息

RSF010P03TL 概述

RSF010P03TL 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

7 页 / 1.2 MByte

RSF010P03TL 其他数据使用手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

5 页 / 0.07 MByte

RSF010P03TL 开发手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

3 页 / 0.04 MByte

RSF010P03 数据手册

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RSF010P03TL 数据手册

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ROHM RSF010P03TL 晶体管, MOSFET, P沟道, -1 A, -30 V, 350 mohm, -10 V, -2.5 V

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