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HN1B04FE-Y,LF
0.24
HN1B04FE-Y,LF 数据手册 (4 页)

HN1B04FE-Y,LF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
80 MHz
引脚数
6 Pin
封装
SOT-563-6
极性
NPN+PNP
功耗
100 mW
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
集电极最大允许电流
0.15A
最小电流放大倍数
120 @2mA, 6V
最大电流放大倍数
400
额定功率(Max)
100 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
100 mW

HN1B04FE-Y,LF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
工作温度
150℃ (TJ)

HN1B04FE-Y,LF 数据手册

Toshiba(东芝)
4 页 / 0.2 MByte
Toshiba(东芝)
6 页 / 0.33 MByte

HN1B04 数据手册

Toshiba(东芝)
Toshiba(东芝)
HN1B04FE-GR,LF 编带
Toshiba(东芝)
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp
Toshiba(东芝)
HN1B04FU-GR NPN+PNP复合三极管 60V/-50V 150mA/-150mA HEF=200~400 SOT-363/US6 标记1DG 用于开关/数字电路
Toshiba(东芝)
Toshiba(东芝)
HN1B04F PNP+NPN复合三极管 -35V/35V -500mA/500mA HEF=70~400 SOT-163/SM6/SOT-26 标记50 用于开关/数字电路
Toshiba(东芝)
HN1B04FE-GR NPN+PNP复合三极管 60V/-50V 150mA/-150mA 120~400 SOT-563/ES6 标记1DG 用于开关/数字电路
Toshiba(东芝)
HN1B04FE-Y NPN+PNP复合三极管 60V/-50V 150mA/-150mA 120~400 SOT-563/ES6 标记1DY 用于开关/数字电路
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