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HUF75639S3S
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HUF75639S3S 数据手册 (10 页)
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HUF75639S3S 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-263-3
功耗
200W (Tc)
漏源极电压(Vds)
100 V
上升时间
60 ns
输入电容值(Ciss)
2000pF @25V(Vds)
下降时间
25 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
200W (Tc)

HUF75639S3S 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Rail
材质
Silicon
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

HUF75639S3S 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
10 页 / 0.53 MByte
ON Semiconductor(安森美)
12 页 / 0.79 MByte

HUF75639S3 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
56A , 100V , 0.025 Ohm的N通道UltraFET功率MOSFET 56A, 100V, 0.025 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs
ON Semiconductor(安森美)
Intersil(英特矽尔)
Fairchild(飞兆/仙童)
56A , 100V , 0.025 Ohm的N通道UltraFET功率MOSFET 56A, 100V, 0.025 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs
Fairchild(飞兆/仙童)
56A , 100V , 0.025 Ohm的N通道UltraFET功率MOSFET 56A, 100V, 0.025 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs
ON Semiconductor(安森美)
HUF75639S3S 系列 N 沟道 100 V 0.025 Ohm UltraFET 功率Mosfet - TO-263AB
Intersil(英特矽尔)
56A , 100V , 0.025 Ohm的N通道UltraFET功率MOSFET 56A, 100V, 0.025 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs
ON Semiconductor(安森美)
Intersil(英特矽尔)
56A , 115V , 0.025 Ohm的N通道UltraFET功率MOSFET 56A, 115V, 0.025 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFET
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