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HUF75639S3ST 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

HUF75639S3S 系列 N 沟道 100 V 0.025 Ohm UltraFET 功率Mosfet - TO-263AB

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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HUF75639S3ST 数据手册 (12 页)

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HUF75639S3ST 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

漏源极电压(Vds)

100 V

上升时间

60 ns

输入电容值(Ciss)

2000pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

200 W

下降时间

25 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

200000 mW

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HUF75639S3ST 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

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HUF75639S3ST 符合标准

HUF75639S3ST 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

12 页 / 0.79 MByte

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