￥ 1.857

HUF75645S3ST 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HUF75645S3ST 场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 75mA

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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HUF75645S3ST 数据手册 (10 页)

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HUF75645S3ST 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

100 V

额定电流

75.0 A

封装

TO-263-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.014 Ω

极性

N-Channel

功耗

310 W

阈值电压

4 V

输入电容

3.79 nF

栅电荷

106 nC

漏源极电压(Vds)

100 V

漏源击穿电压

100 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

75.0 mA

上升时间

117 ns

输入电容值(Ciss)

3790pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

310 W

下降时间

97 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

310W (Tc)

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HUF75645S3ST 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

10.67 mm

宽度

4.83 mm

高度

4.83 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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HUF75645S3ST 符合标准

HUF75645S3ST 海关信息