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STB75NF75T4
1.598
STB75NF75T4 数据手册 (16 页)
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STB75NF75T4 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-263-3
通道数
1 Channel
极性
N-CH
功耗
300 W
阈值电压
3 V
漏源极电压(Vds)
75 V
连续漏极电流(Ids)
80A
上升时间
100 ns
输入电容值(Ciss)
3700pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
300 W
下降时间
30 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
300W (Tc)

STB75NF75T4 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
10.4 mm
宽度
9.35 mm
高度
4.6 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

STB75NF75T4 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
16 页 / 0.4 MByte

STB75NF75 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道75V - 0.0095欧姆 - 80A TO- 220 / TO- 220FP / DPAK STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 75V - 0.0095 ohm - 80A TO-220/TO-220FP/DPAK STripFET⑩ II POWER MOSFET
New Jersey Semiconductor
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道75V - 0.0095ヘ - 80A - TO- 220 - TO- 220FP - D2PAK STripFET⑩ II功率MOSFET N-channel 75V - 0.0095ヘ - 80A - TO-220 - TO-220FP - D2PAK STripFET⑩ II Power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STB75NF75LT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 37.5 A, 75 V, 0.009 ohm, 15 V, 2.5 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道75V - 0.009欧姆 - 75A D2PAK / I2PAK / TO- 220 STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 75V - 0.009 ohm - 75A D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET⑩ II POWER MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道75V - 0.009欧姆 - 75A D2PAK / I2PAK / TO- 220 STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 75V - 0.009 ohm - 75A D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET⑩ II POWER MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道75V - 0.009ヘ - 75A - D2PAK STripFET⑩ II功率MOSFET N-channel 75V - 0.009ヘ - 75A - D2PAK STripFET⑩ II Power MOSFET
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