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HUF76407D3ST
0.46
HUF76407D3ST 数据手册 (10 页)
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HUF76407D3ST 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
60.0 V
额定电流
11.0 A
封装
TO-252-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.077 Ω
极性
N-Channel
功耗
38 W
阈值电压
1 V
漏源极电压(Vds)
60 V
漏源击穿电压
60.0 V
栅源击穿电压
±16.0 V
连续漏极电流(Ids)
11.0 A
上升时间
32 ns
输入电容值(Ciss)
350pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
38 W
下降时间
45 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
38W (Tc)

HUF76407D3ST 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.73 mm
宽度
6.22 mm
高度
2.39 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

HUF76407D3ST 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
10 页 / 0.76 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
18 页 / 0.94 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
7 页 / 0.87 MByte

HUF76407D3 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
11A , 60V , 0.107 Ohm的N通道,逻辑电平UltraFET功率MOSFET 11A, 60V, 0.107 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
HUF76407D3S 系列60 V 0.092 Ohm N沟道 逻辑 UltraFET 功率 Mosfet-TO-252AA
Fairchild(飞兆/仙童)
11A , 60V , 0.107 Ohm的N通道,逻辑电平UltraFET功率MOSFET 11A, 60V, 0.107 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
HUF76407D3S 系列60 V 0.092 Ohm N沟道 逻辑 UltraFET 功率 Mosfet-TO-252AA
Intersil(英特矽尔)
11A , 60V , 0.107 Ohm的N通道,逻辑电平UltraFET功率MOSFET 11A, 60V, 0.107 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
Intersil(英特矽尔)
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