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EMH9T2R
0.043
EMH9T2R 数据手册 (9 页)
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EMH9T2R 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
额定电压(DC)
50.0 V
额定电流
70.0 mA
封装
EMT-6
额定功率
0.15 W
极性
NPN
功耗
0.15 W
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
集电极最大允许电流
100mA
最小电流放大倍数
68 @5mA, 5V
额定功率(Max)
150 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
增益带宽
250 MHz
耗散功率(Max)
150 mW

EMH9T2R 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
1.6 mm
宽度
1.2 mm
高度
0.5 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

EMH9T2R 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
9 页 / 0.5 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
9 页 / 0.53 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
1 页 / 0.12 MByte

EMH9T2 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
晶体管 双极预偏置/数字, 双路 NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 0.2 电阻比率
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