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IDD04SG60C
1.387
IDD04SG60C 数据手册 (7 页)
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IDD04SG60C 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
额定功率
43 W
负载电流
4 A
反向恢复时间
0 ns
正向电流
4 A
最大正向浪涌电流
18 A
正向电压(Max)
2.3 V
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
工作结温(Max)
175 ℃

IDD04SG60C 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Cut Tape (CT)
长度
6.73 mm
宽度
6.22 mm
高度
2.41 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃

IDD04SG60C 数据手册

Infineon(英飞凌)
7 页 / 0.73 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.19 MByte
Infineon(英飞凌)
16 页 / 0.77 MByte
Infineon(英飞凌)
1 页 / 0.03 MByte

IDD04SG60 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  IDD04SG60C  二极管, 碳化硅肖特基, SIC, thinQ 3G 600V系列, 单, 600 V, 4 A, 4.5 nC, TO-252
Infineon(英飞凌)
肖特基二极管与整流器 SIC DIODES
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