￥ 0.447

IXTH30N60L2 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

描述:

IXYS SEMICONDUCTOR IXTH30N60L2 功率场效应管, MOSFET, LINEAR L2™, N沟道, 30 A, 600 V, 240 mohm, 10 V, 2.5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IXTH30N60L2 数据手册 (5 页)

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IXTH30N60L2 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

240 mΩ

极性

N-Channel

功耗

540 W

阈值电压

2.5 V

漏源极电压(Vds)

600 V

上升时间

65 ns

输入电容值(Ciss)

10700pF @25V(Vds)

下降时间

43 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

540W (Tc)

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IXTH30N60L2 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

宽度

5.3 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXTH30N60L2 符合标准

IXTH30N60L2 概述

IXTH30N60L2 数据手册

IXYS Semiconductor

5 页 / 0.13 MByte

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