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IDD10SG60C
2.661
IDD10SG60C 数据手册 (7 页)
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IDD10SG60C 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
额定功率
120 W
负载电流
10 A
正向电压
2.1 V
反向恢复时间
0 ns
正向电流
10 A
正向电压(Max)
2.1V @10A
正向电流(Max)
10000 mA
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
工作结温(Max)
175 ℃
耗散功率(Max)
120000 mW

IDD10SG60C 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.73 mm
宽度
6.22 mm
高度
2.26 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃

IDD10SG60C 数据手册

Infineon(英飞凌)
7 页 / 0.73 MByte
Infineon(英飞凌)
7 页 / 0.26 MByte
Infineon(英飞凌)
1 页 / 0.03 MByte

IDD10SG60 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  IDD10SG60C  二极管, 碳化硅肖特基, thinQ 3G 600V系列, 单, 600 V, 10 A, 16 nC, TO-252
Infineon(英飞凌)
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