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器件3D模型
¥ 4.939
STB23NM60ND 数据手册 - ST Microelectronics(意法半导体)
制造商:
ST Microelectronics(意法半导体)
分类:
MOS管
封装:
TO-263-3
描述:
STMICROELECTRONICS STB23NM60ND 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 600 V, 150 mohm, 10 V, 4 V
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
STB23NM60ND 数据手册 (18 页)
封装尺寸
在
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STB23NM60ND 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-263-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.15 Ω
极性
N-Channel
功耗
150 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
600 V
连续漏极电流(Ids)
10.0 A
上升时间
19 ns
输入电容值(Ciss)
2050pF @50V(Vds)
额定功率(Max)
150 W
下降时间
42 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
150W (Tc)
查看数据手册 >
STB23NM60ND 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
10.75 mm
宽度
10.4 mm
高度
4.6 mm
工作温度
150℃ (TJ)
查看数据手册 >
STB23NM60ND 符合标准
STB23NM60ND 概述
●
N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET,STMicroelectronics
●
### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
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STMICROELECTRONICS STB23NM60ND 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 600 V, 150 mohm, 10 V, 4 V
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ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道600 V - 0.150 Ω - 19 A - D2PAK - I2PAK - TO- 220 / FP TO- 247 ,第二代的MDmesh ™功率MOSFET N-channel 600 V - 0.150 Ω - 19 A - D2PAK - I2PAK - TO-220/FP TO-247, second generation MDmesh? Power MOSFET
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