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IDH10G65C5
2.348
IDH10G65C5 数据手册 (11 页)
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IDH10G65C5 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
2 Pin
封装
TO-220-2
正向电压
1.7V @10A
功耗
89 W
反向恢复时间
0 ns
正向电流
10 A
最大正向浪涌电流
82 A
正向电压(Max)
2.1 V
正向电流(Max)
10 A
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
工作结温(Max)
175 ℃
耗散功率(Max)
89000 mW

IDH10G65C5 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.2 mm
宽度
4.5 mm
高度
15.95 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃

IDH10G65C5 数据手册

Infineon(英飞凌)
11 页 / 1.14 MByte

IDH10G65 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  IDH10G65C5XKSA1  二极管, 碳化硅肖特基, thinQ 5G 650V系列, 单, 650 V, 10 A, 15 nC, TO-220
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IDH10G65C5  二极管, 碳化硅肖特基, thinQ 5G 650V系列, 单, 650 V, 10 A, 15 nC, TO-220
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
二极管, 碳化硅肖特基, CoolSiC 6G 650V Series, 单, 650 V, 24 A, 14.7 nC, TO-220
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
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