￥ 3.147

IGB50N60T 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

IGBT晶体管

封装:

TO-263-3

描述:

低损耗IGBT的沟槽场终止和技术 LOW LOSS IGBT IN TRENCH AND FIELDSTOP TECHNOLOGY

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IGB50N60T 数据手册 (12 页)

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IGB50N60T 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

额定功率

333 W

击穿电压(集电极-发射极)

600 V

额定功率(Max)

333 W

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

333000 mW

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IGB50N60T 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

10.25 mm

宽度

9.9 mm

高度

4.4 mm

工作温度

-40℃ ~ 175℃

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IGB50N60T 符合标准

IGB50N60T 海关信息

IGB50N60T 数据手册

Infineon（英飞凌）

12 页 / 0.62 MByte

IGB50N60T 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IGB50N60T 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

73 页 / 2.93 MByte

IGB50N60T 开发手册

Infineon（英飞凌）

48 页 / 2 MByte

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单晶体管, IGBT, 90 A, 1.5 V, 333 W, 600 V, TO-263, 3 引脚

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