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IHW30N90R
1.009
IHW30N90R 数据手册 (12 页)
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IHW30N90R 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-247-3
功耗
454 W
击穿电压(集电极-发射极)
900 V
额定功率(Max)
454 W
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
454 W

IHW30N90R 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tube
长度
16.03 mm
宽度
5.16 mm
高度
21.1 mm
工作温度
-40℃ ~ 175℃ (TJ)

IHW30N90R 数据手册

Infineon(英飞凌)
12 页 / 0.29 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.36 MByte
Infineon(英飞凌)
12 页 / 0.28 MByte

IHW30N90 数据手册

Infineon(英飞凌)
逆导IGBT与单片体二极管 Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IHW30N90T  单晶体管, IGBT, 30 A, 1.7 V, 428 W, 900 V, TO-247, 3 引脚
Infineon(英飞凌)
IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 900V 30A
Infineon(英飞凌)
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