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IRFB17N50LPBF
3.626
IRFB17N50LPBF 数据手册 (9 页)
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IRFB17N50LPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.28 Ω
极性
N-Channel
功耗
220 W
阈值电压
5 V
漏源极电压(Vds)
500 V
连续漏极电流(Ids)
16.0 A
上升时间
51 ns
输入电容值(Ciss)
2760pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
220 W
下降时间
28 ns
工作温度(Max)
150 ℃
耗散功率(Max)
220W (Tc)

IRFB17N50LPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 150℃
最小包装数量
50

IRFB17N50LPBF 数据手册

VISHAY(威世)
9 页 / 0.27 MByte
VISHAY(威世)
9 页 / 0.27 MByte

IRFB17N50 数据手册

VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Siliconix
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  IRFB17N50LPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 500 V, 0.28 ohm, 10 V, 5 V 新
Vishay Siliconix
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Intertechnology
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 500V , RDS(ON) (典型值) = 0.28ohm ,ID = 16A) Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)typ.=0.28ohm, Id=16A)
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