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IHW30N90T
3.704
IHW30N90T 数据手册 (12 页)
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IHW30N90T 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-247-3
针脚数
3 Position
功耗
428 W
击穿电压(集电极-发射极)
900 V
额定功率(Max)
428 W
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
428000 mW

IHW30N90T 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
-40℃ ~ 175℃

IHW30N90T 数据手册

Infineon(英飞凌)
12 页 / 0.28 MByte
Infineon(英飞凌)
12 页 / 0.28 MByte
Infineon(英飞凌)
29 页 / 1.73 MByte

IHW30N90 数据手册

Infineon(英飞凌)
逆导IGBT与单片体二极管 Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IHW30N90T  单晶体管, IGBT, 30 A, 1.7 V, 428 W, 900 V, TO-247, 3 引脚
Infineon(英飞凌)
IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 900V 30A
Infineon(英飞凌)
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