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IMZ1AT108
0.025
IMZ1AT108 数据手册 (4 页)
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IMZ1AT108 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
180 MHz
引脚数
6 Pin
额定电流
150 mA
封装
SOT-457
额定功率
0.3 W
针脚数
6 Position
极性
NPN, PNP
功耗
300 mW
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
集电极最大允许电流
0.15A
最小电流放大倍数
120 @1mA, 6V
最大电流放大倍数
560
额定功率(Max)
300 mW
直流电流增益(hFE)
120
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
300 mW

IMZ1AT108 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
2.9 mm
宽度
1.6 mm
高度
1.2 mm
工作温度
150℃ (TJ)

IMZ1AT108 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
4 页 / 0.05 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
45 页 / 0.4 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
1 页 / 0.12 MByte

IMZ1 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM  IMZ1AT108  双极晶体管阵列, 双路, NPN, PNP, 50 V, 300 mW, 150 mA, 120 hFE, SOT-457
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
IMZ1A NPN+PNP复合三极管 60V/-60V 150mA/-150mA 120~560 SOT-163/SMT6/SC-74 标记Z1 用于开关/数字电路
Infineon(英飞凌)
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.2 kV, 56 A, 0.03 ohm, TO-247, 通孔
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
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