IMZ4 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

●集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) | 40V/-40V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) | 32V/-32V 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) | 500mA/-500mA 截止频率fT Transtion Frequency(fT) | 250MHz/200MHz 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) | 120~560/120~560 管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage | 600mV/-600mV 耗散功率Pc Power Dissipation | 300mW Description & Applications | Features • General purpose transistor (dual transistors) • Includes a 2SA1036K and a 2SC411K transistor in a SMT package. • Mounting possible with SMT3 automatic mounting machines. • Transistor elements are independent, eliminating interference. • High collector current. IC=500mA • Mounting cost and area can be cut in half. 描述与应用 | 特点 •通用晶体管（双晶体管） •在SMT包装包括一个2SA1036K的和一个2SC411K晶体管。 •安装可能与SMT3可能自动装配机。 •晶体管元素是独立的，消除干扰。 •高集电极电流。 IC=500毫安 •安装成本和面积可减少一半。