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BFR30LT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

JFET晶体管

封装:

SOT-23-3

描述:

JFET放大器（ N沟道） JFET Amplifiers(N-Channel)

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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BFR30LT1G 数据手册 (4 页)

封装尺寸在4 页

BFR30LT1G 数据手册 (4 页)

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BFR30LT1G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

25.0 V

额定电流

1.00 mA

封装

SOT-23-3

极性

N-Channel

功耗

300 mW

输入电容

5.00 pF

漏源极电压(Vds)

25 V

栅源击穿电压

25.0 V

输入电容值(Ciss)

5pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

225 mW

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

300 mW

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BFR30LT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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BFR30LT1G 符合标准

BFR30LT1G 海关信息

BFR30LT1G 概述

BFR30LT1G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

4 页 / 0.05 MByte

BFR30LT1G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

7 页 / 0.14 MByte

BFR30LT1G 产品手册

ON Semiconductor（安森美）

4 页 / 0.1 MByte

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