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Datasheet 搜索 > MOS管 > Infineon(英飞凌) > IPA60R160P6 Datasheet 文档
IPA60R160P6
2.421

IPA60R160P6 技术参数、封装参数

类型
描述
触点数
30 Contact
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
极性
N-CH
功耗
34 W
漏源极电压(Vds)
600 V
连续漏极电流(Ids)
23.8A
上升时间
7.6 ns
额定电流(Max)
4.9A/触头
输入电容值(Ciss)
2080pF @100V(Vds)
下降时间
5.8 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
34000 mW

IPA60R160P6 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
外壳颜色
Black
包装方式
Tube
触点材质
Phosphor Bronze
长度
10.65 mm
宽度
4.85 mm
高度
16.15 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

IPA60R160P6 数据手册

Infineon(英飞凌)
19 页 / 2.58 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
42 页 / 1.35 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

IPA60R160 数据手册

Infineon(英飞凌)
单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon(英飞凌)
600V,23.8A,N沟道功率MOSFET
Infineon(英飞凌)
Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPA60R160C6XKSA1, 24 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
Infineon(英飞凌)
场效应管(MOSFET) IPA60R160P6 TO-220FP-3
Infineon(英飞凌)
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