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IPA60R165CPXKSA1
2.69
IPA60R165CPXKSA1 数据手册 (10 页)
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IPA60R165CPXKSA1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
额定功率
34 W
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.15 Ω
极性
N-Channel
功耗
34 W
阈值电压
3 V
漏源极电压(Vds)
600 V
连续漏极电流(Ids)
21.0 A
上升时间
5 ns
输入电容值(Ciss)
2000pF @100V(Vds)
下降时间
5 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
34W (Tc)

IPA60R165CPXKSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended for New Designs
包装方式
Tube
长度
10.65 mm
宽度
4.85 mm
高度
16.15 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IPA60R165CPXKSA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.59 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
33 页 / 1.03 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.11 MByte

IPA60R165 数据手册

Infineon(英飞凌)
的CoolMOS功率晶体管 CoolMos Power Transistor
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
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