Web Analytics
Datasheet 搜索 > MOS管 > ON Semiconductor(安森美) > NTHD3100CT1 Datasheet 文档
NTHD3100CT1
0
NTHD3100CT1 数据手册 (8 页)
查看文档
或点击图片查看大图

NTHD3100CT1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
额定电压(DC)
20.0 V
额定电流
3.90 A
封装
SMD-8
漏源极电阻
77.0 mΩ, 85.0 mΩ
极性
N-Channel, P-Channel
功耗
1.10 W
输入电容
165 pF
栅电荷
2.30 nC
漏源极电压(Vds)
20 V
连续漏极电流(Ids)
3.20 A
输入电容值(Ciss)
165pF @10V(Vds)
额定功率(Max)
1.1 W

NTHD3100CT1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

NTHD3100CT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.14 MByte
ON Semiconductor(安森美)
24 页 / 0.56 MByte

NTHD3100 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  NTHD3100CT1G.  场效应管, MOSFET, 双P沟道, -20V, 1206A, 整卷
ON Semiconductor(安森美)
功率MOSFET的20 V , 3.9一/-4.4 A,互补ChipFET Power MOSFET 20 V, +3.9 A /−4.4 A, Complementary ChipFET
ON Semiconductor(安森美)
功率MOSFET的20 V , 3.9一/-4.4 A,互补ChipFET Power MOSFET 20 V, +3.9 A /−4.4 A, Complementary ChipFET
ON Semiconductor(安森美)
功率MOSFET的20 V , 3.9一/-4.4 A,互补ChipFET Power MOSFET 20 V, +3.9 A /−4.4 A, Complementary ChipFET
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z