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IPA60R385CP
1.479
IPA60R385CP 数据手册 (20 页)
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IPA60R385CP 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.35 Ω
极性
N-Channel
功耗
31 W
阈值电压
3 V
漏源极电压(Vds)
650 V
连续漏极电流(Ids)
9.00 A
上升时间
5 ns
输入电容值(Ciss)
790pF @100V(Vds)
下降时间
5 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
31 W

IPA60R385CP 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended
包装方式
Tube
长度
10.65 mm
宽度
4.85 mm
高度
16.15 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

IPA60R385CP 数据手册

Infineon(英飞凌)
20 页 / 3.72 MByte
Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.73 MByte

IPA60R385 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPA60R385CPXKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9 A, 650 V, 0.35 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
Infineon CoolMOS™CP 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
的CoolMOS功率晶体管 CoolMos Power Transistor
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