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IRFP31N50LPBF
6.299
IRFP31N50LPBF 数据手册 (11 页)
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IRFP31N50LPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-247
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.18 Ω
极性
N-Channel
功耗
460 W
阈值电压
5 V
漏源极电压(Vds)
500 V
连续漏极电流(Ids)
31.0 A
上升时间
115 ns
输入电容值(Ciss)
5000pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
460 W
下降时间
53 ns
工作温度(Max)
150 ℃

IRFP31N50LPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRFP31N50LPBF 数据手册

VISHAY(威世)
11 页 / 0.22 MByte
VISHAY(威世)
9 页 / 0.19 MByte

IRFP31N50 数据手册

VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  IRFP31N50LPBF.  晶体管, MOSFET, N沟道, 31 A, 500 V, 180 mohm, 10 V, 5 V
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Intertechnology
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
LiteOn(光宝)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 500V , RDS(ON) (典型值) = 0.15ohm ,ID = 31A ) Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)typ.=0.15ohm, Id=31A)
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