IPA65R045C7

￥ 9.759

IPA65R045C7 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-220

描述:

N沟道 650V 18A

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IPA65R045C7 数据手册 (15 页)

IPA65R045C7 数据手册 (15 页)

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IPA65R045C7 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

封装

TO-220

极性

N-CH

功耗

35 W

漏源极电压(Vds)

650 V

连续漏极电流(Ids)

18A

上升时间

14 ns

下降时间

7 ns

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IPA65R045C7 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10.65 mm

宽度

4.85 mm

高度

16.15 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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IPA65R045C7 符合标准

IPA65R045C7 数据手册

IPA65R045C7 数据手册

Infineon（英飞凌）

15 页 / 1.71 MByte

IPA65R045C7 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IPA65R045C7 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

33 页 / 1.03 MByte

IPA65R045C7 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IPA65R045 数据手册

IPA65R045C7XKSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

N沟道 650V 18A

IPA65R045C7 数据手册

Infineon（英飞凌）

N沟道 650V 18A

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