￥ 0.564

IPA80R1K0CE 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-220

描述:

800V,5.7A,N沟道功率MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IPA80R1K0CE 数据手册 (15 页)

查看文档

或点击图片查看大图

IPA80R1K0CE 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

封装

TO-220

极性

N-CH

漏源极电压(Vds)

800 V

连续漏极电流(Ids)

5.7A

查看数据手册 >

IPA80R1K0CE 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-40℃ ~ 150℃

查看数据手册 >

IPA80R1K0CE 符合标准

IPA80R1K0CE 数据手册

Infineon（英飞凌）

15 页 / 1.01 MByte

IPA80R1K0CE 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IPA80R1K0CE 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

51 页 / 2.6 MByte

IPA80R1K0CE 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IPA80R1K0 数据手册

IPA80R1K0CEXKSA2 数据手册

Infineon（英飞凌）

N-沟道 800 V 5.7 A 950 mΩ 31 nC CoolMOS CE 功率晶体管 - TO-220FP

IPA80R1K0CE 数据手册

Infineon（英飞凌）

800V,5.7A,N沟道功率MOSFET

IPA80R1K0CEXKSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

TO-220 整包

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号