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IPA65R380E6
1.237
IPA65R380E6 数据手册 (17 页)
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IPA65R380E6 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.34 Ω
极性
N-Channel
功耗
31 W
阈值电压
3 V
漏源极电压(Vds)
650 V
连续漏极电流(Ids)
10.6A
上升时间
7 ns
输入电容值(Ciss)
710pF @100V(Vds)
额定功率(Max)
31 W
下降时间
8 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
31W (Tc)

IPA65R380E6 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.36 mm
宽度
4.57 mm
高度
15.95 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

IPA65R380E6 数据手册

Infineon(英飞凌)
17 页 / 1.85 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
33 页 / 1.03 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

IPA65R380 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPA65R380E6XKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10.6 A, 650 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPA65R380E6  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10.6 A, 650 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
PG-TO220 整包
Infineon(英飞凌)
Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
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