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IPB017N08N5ATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 80 V, 0.0015 ohm, 10 V, 3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IPB017N08N5ATMA1 数据手册 (12 页)

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IPB017N08N5ATMA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

额定功率

375 W

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

1.5 mΩ

极性

N-CH

功耗

375 W

阈值电压

2.2 V

漏源极电压(Vds)

80 V

漏源击穿电压

80 V

连续漏极电流(Ids)

120A

上升时间

36 ns

输入电容值(Ciss)

16900pF @40V(Vds)

额定功率(Max)

375 W

下降时间

37 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

375W (Tc)

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IPB017N08N5ATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

10 mm

宽度

9.25 mm

高度

4.4 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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IPB017N08N5ATMA1 符合标准

IPB017N08N5ATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

12 页 / 1.15 MByte

IPB017N08N5ATMA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IPB017N08N5ATMA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.64 MByte

IPB017N08N5ATMA1 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IPB017N08N5 数据手册

Infineon（英飞凌）

场效应管(MOSFET) IPB017N08N5 TO-263-3

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Infineon（英飞凌）

晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 80 V, 0.0015 ohm, 10 V, 3 V

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