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IPB038N12N3G
4.67
IPB038N12N3G 数据手册 (11 页)
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IPB038N12N3G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-263-3-2
极性
N-Channel

IPB038N12N3G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active

IPB038N12N3G 数据手册

Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.85 MByte
Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.52 MByte

IPB038N12N3 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB038N12N3GATMA1, 120 A, Vds=120 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
Infineon(英飞凌)
Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET,100V 及以上### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon(英飞凌)
OptiMOSTM3电源晶体管特性优良的栅极电荷X R DS ( ON)的乘积( FOM ) OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
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