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IPB072N15N3G
1.175
IPB072N15N3G 数据手册 (11 页)
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IPB072N15N3G 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
3 Pin
封装
D2PAK-2
极性
N-Channel
功耗
300 W

IPB072N15N3G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)

IPB072N15N3G 数据手册

Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.72 MByte
Infineon(英飞凌)
12 页 / 0.71 MByte

IPB072N15N3 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPB072N15N3GATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 150 V, 5.8 mohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
OptiMOS®3电源晶体管特性优良的栅极电荷X R DS ( ON)的乘积( FOM ) OptiMOS?3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPB072N15N3 G  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 150 V, 5.8 mohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
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