￥ 3.126

IPB117N20NFD 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

Infineon OptiMOS™ FD 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IPB117N20NFD 数据手册 (12 页)

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IPB117N20NFD 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

漏源极电阻

11.7 mΩ

极性

N-CH

功耗

300 W

漏源极电压(Vds)

200 V

连续漏极电流(Ids)

84A

上升时间

10 ns

输入电容值(Ciss)

5000pF @100V(Vds)

下降时间

8 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

300 W

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IPB117N20NFD 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

10 mm

宽度

9.25 mm

高度

4.4 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃

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IPB117N20NFD 符合标准

IPB117N20NFD 海关信息

IPB117N20NFD 概述

IPB117N20NFD 数据手册

Infineon（英飞凌）

12 页 / 1.11 MByte

IPB117N20NFD 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IPB117N20NFD 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.64 MByte

IPB117N20NFD 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

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INFINEON IPB117N20NFDATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 84 A, 200 V, 0.0103 ohm, 10 V, 3 V 新

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