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IPB200N15N3 G
2.353
IPB200N15N3 G 数据手册 (12 页)
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IPB200N15N3 G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-263-3
极性
N-Channel
功耗
150 W
漏源极电压(Vds)
150 V
上升时间
11 ns
输入电容值(Ciss)
1820pF @75V(Vds)
下降时间
6 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
150W (Tc)

IPB200N15N3 G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
10.31 mm
宽度
9.45 mm
高度
4.57 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IPB200N15N3 G 数据手册

Infineon(英飞凌)
12 页 / 0.97 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
7 页 / 0.07 MByte

IPB200N15N3 数据手册

Infineon(英飞凌)
OptiMOS®3电源晶体管特性优良的栅极电荷X R DS ( ON)的乘积( FOM ) OptiMOS™3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
Infineon(英飞凌)
N-沟道 150 V 50 A 20 mΩ 23 nC OptiMOS 3 功率 晶体管 - D2PAK
Infineon(英飞凌)
Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET,100V 及以上### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon(英飞凌)
150V,50A,N沟道功率MOSFET
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