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STTH810DI
0.752
STTH810DI 数据手册 (11 页)
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STTH810DI 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
2 Pin
额定电压(DC)
1.00 kV
额定电流
8.00 A
电容
7.00 pF
封装
TO-220-3
输出电流
≤8.00 A
正向电压
2V @8A
极性
Standard
热阻
4.1℃/W (RθJC)
反向恢复时间
47 ns
正向电流
8 A
最大正向浪涌电流
60 A
正向电压(Max)
1.3 V
正向电流(Max)
8 A
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
工作结温
175℃ (Max)
工作结温(Max)
175 ℃

STTH810DI 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.4 mm
宽度
4.6 mm
高度
15.9 mm

STTH810DI 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
11 页 / 0.18 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
83 页 / 1.43 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
1 页 / 0.12 MByte

STTH810 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STTH810D  快速/超快功率二极管, 单, 1 kV, 8 A, 1.3 V, 47 ns, 60 A
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STTH810FP  快速/超快二极管, 单, 1 kV, 8 A, 2 V, 85 ns, 60 A
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STTH810DI  快速/超快功率二极管, 单, 1 kV, 8 A, 1.3 V, 47 ns, 60 A
ST Microelectronics(意法半导体)
超快恢复 - 高电压二极管 Ultrafast recovery - high voltage diode
ST Microelectronics(意法半导体)
整流器 Ultrafast Recovery 8A 1000V 1.30VF 47ns
ST Microelectronics(意法半导体)
超快恢复 - 高电压二极管 Ultrafast recovery - high voltage diode
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