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IPB200N25N3GATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

INFINEON IPB200N25N3GATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 64 A, 250 V, 0.0175 ohm, 10 V, 3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IPB200N25N3GATMA1 数据手册 (11 页)

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IPB200N25N3GATMA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

额定功率

300 W

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.0175 Ω

极性

N-Channel

功耗

300 W

阈值电压

3 V

输入电容

5340 pF

漏源极电压(Vds)

250 V

漏源击穿电压

250 V

连续漏极电流(Ids)

64A

上升时间

20 ns

输入电容值(Ciss)

5340pF @100V(Vds)

下降时间

12 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

300 W

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IPB200N25N3GATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

10 mm

宽度

9.25 mm

高度

4.4 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃

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IPB200N25N3GATMA1 符合标准

IPB200N25N3GATMA1 概述

IPB200N25N3GATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

11 页 / 0.74 MByte

IPB200N25N3GATMA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IPB200N25N3GATMA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

40 页 / 0.46 MByte

IPB200N25N3GATMA1 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IPB200N25N3 数据手册

IPB200N25N3GATMA1 数据手册

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INFINEON IPB200N25N3GATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 64 A, 250 V, 0.0175 ohm, 10 V, 3 V

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INFINEON IPB200N25N3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 64 A, 250 V, 0.0175 ohm, 10 V, 3 V

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