￥ 2.065

STB60NF06T4 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

N沟道60V - 0.014ヘ - 60A - D2PAK / I2PAK STripFET⑩ II功率MOSFET N-channel 60V - 0.014ヘ - 60A - D2PAK/I2PAK STripFET⑩ II Power MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STB60NF06T4 数据手册 (14 页)

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STB60NF06T4 数据手册 (14 页)

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STB60NF06T4 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

60.0 V

额定电流

60.0 A

封装

TO-263-3

漏源极电阻

15.0 mΩ

极性

N-Channel

功耗

110 W

漏源极电压(Vds)

60 V

漏源击穿电压

60.0 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

60.0 A

上升时间

108 ns

输入电容值(Ciss)

1810pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

110 W

下降时间

20 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

110W (Tc)

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STB60NF06T4 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-65℃ ~ 175℃ (TJ)

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STB60NF06T4 符合标准

STB60NF06T4 海关信息