￥ 2.741

IPB60R190C6 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IPB60R190C6 数据手册 (19 页)

封装尺寸在14 页 15 页 17 页

IPB60R190C6 数据手册 (19 页)

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IPB60R190C6 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

额定功率

151 W

极性

N-Channel

功耗

151 W

漏源极电压(Vds)

650 V

连续漏极电流(Ids)

20.2A

上升时间

11 ns

输入电容值(Ciss)

1400pF @100V(Vds)

额定功率(Max)

151 W

下降时间

9 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

151W (Tc)

查看数据手册 >

IPB60R190C6 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

10.31 mm

宽度

9.45 mm

高度

4.57 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IPB60R190C6 符合标准

IPB60R190C6 海关信息

IPB60R190C6 概述

IPB60R190C6 数据手册

Infineon（英飞凌）

19 页 / 1.23 MByte

IPB60R190C6 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IPB60R190C6 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

52 页 / 3.25 MByte

IPB60R190C6 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

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