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MAT01AHZ
66.49
MAT01AHZ 数据手册 (12 页)
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MAT01AHZ 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
频率
450 MHz
引脚数
6 Pin
封装
TO-78-6
电路数
2 Circuit
针脚数
6 Position
极性
NPN
功耗
0.5 W
击穿电压(集电极-发射极)
45 V
集电极最大允许电流
0.025A
最小电流放大倍数
500
最大电流放大倍数
840
额定功率(Max)
500 mW
直流电流增益(hFE)
500
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
500 mW

MAT01AHZ 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Box
材质
Silicon
长度
9.4 mm
宽度
9.4 mm
高度
4.7 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

MAT01AHZ 数据手册

ADI(亚德诺)
12 页 / 0.22 MByte
ADI(亚德诺)
2 页 / 0.1 MByte

MAT01 数据手册

ADI(亚德诺)
匹配的单片双晶体管 Matched Monolithic Dual Transistor
ADI(亚德诺)
ANALOG DEVICES  MAT01GHZ.  单片双晶体管
ADI(亚德诺)
ANALOG DEVICES  MAT01AHZ  双极晶体管阵列, 双NPN, 45 V, 1.8 W, 25 mA, 500 hFE, TO-78
ADI(亚德诺)
匹配的单片双晶体管 Matched Monolithic Dual Transistor
ADI(亚德诺)
匹配的单片双晶体管 Matched Monolithic Dual Transistor
Precision Monolithics
Precision Monolithics
ADI(亚德诺)
Precision Monolithics
ADI(亚德诺)
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