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IPB60R299CPATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

中高压MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

INFINEON IPB60R299CPATMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 650 V, 0.27 ohm, 10 V, 3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IPB60R299CPATMA1 数据手册 (10 页)

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IPB60R299CPATMA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

额定功率

96 W

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.27 Ω

极性

N-Channel

功耗

96 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

650 V

漏源击穿电压

600 V

连续漏极电流(Ids)

11.0 A

上升时间

5 ns

输入电容值(Ciss)

1100pF @100V(Vds)

下降时间

5 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

96000 mW

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IPB60R299CPATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

10 mm

宽度

9.25 mm

高度

4.4 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IPB60R299CPATMA1 符合标准

IPB60R299CPATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

10 页 / 0.54 MByte

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Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IPB60R299CPATMA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

33 页 / 1.03 MByte

IPB60R299CPATMA1 开发手册

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37 页 / 2.01 MByte

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