￥ 1.09

IPB60R299CPAATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

N沟道 600V 11A

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IPB60R299CPAATMA1 数据手册 (11 页)

查看文档

或点击图片查看大图

IPB60R299CPAATMA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

极性

N-CH

功耗

96 W

漏源极电压(Vds)

600 V

连续漏极电流(Ids)

11A

上升时间

5 ns

输入电容值(Ciss)

1100pF @100V(Vds)

下降时间

5 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

96W (Tc)

查看数据手册 >

IPB60R299CPAATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-40℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

IPB60R299CPAATMA1 符合标准

IPB60R299CPAATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

11 页 / 0.41 MByte

IPB60R299CPAATMA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IPB60R299CPAATMA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

28 页 / 4.06 MByte

IPB60R299CPAATMA1 开发手册

Infineon（英飞凌）

56 页 / 6.94 MByte

IPB60R299 数据手册

IPB60R299CPAATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

N沟道 600V 11A

IPB60R299CPATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON IPB60R299CPATMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 650 V, 0.27 ohm, 10 V, 3 V

IPB60R299CP 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON IPB60R299CP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 650 V, 0.27 ohm, 10 V, 3 V

IPB60R299CPA 数据手册

Infineon（英飞凌）

的CoolMOS功率晶体管 CoolMOS Power Transistor

IPB60R299CPXT 数据手册

Infineon（英飞凌）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号