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IPB60R950C6
0.65
IPB60R950C6 数据手册 (18 页)
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IPB60R950C6 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-263-3
通道数
1 Channel
漏源极电阻
950 mΩ
极性
N-Channel
功耗
37 W
漏源极电压(Vds)
600 V
漏源击穿电压
600 V
连续漏极电流(Ids)
4.4A
上升时间
8 nS
输入电容值(Ciss)
280pF @100V(Vds)
下降时间
13 nS
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
37W (Tc)

IPB60R950C6 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
10 mm
宽度
9.25 mm
高度
4.4 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IPB60R950C6 数据手册

Infineon(英飞凌)
18 页 / 1.15 MByte

IPB60R950 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPB60R950C6ATMA1, 4.4 A, Vds=650 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
Infineon(英飞凌)
Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
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