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器件3D模型
￥ 0.173
ESDALC6V1P5 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）
制造商:
ST Microelectronics（意法半导体）
分类:
TVS二极管
封装:
SOT-665
描述:
STMICROELECTRONICS ESDALC6V1P5 静电保护装置, TVS, SOT-665, 5 引脚, 30 W
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
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ESDALC6V1P5 数据手册 (13 页)
封装尺寸
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ESDALC6V1P5 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
5 Pin
额定电压(DC)
6.10 V
电容
7.5 pF
封装
SOT-665
额定功率
30.0 W
击穿电压
6.10 V
电路数
4 Circuit
针脚数
5 Position
功耗
30 W
测试电流
1 mA
最大反向击穿电压
7.2 V
脉冲峰值功率
30 W
最小反向击穿电压
6.1 V
击穿电压
6.1 V
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
查看数据手册 >
ESDALC6V1P5 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
1.70 mm
宽度
1.30 mm
高度
0.6 mm
工作温度
-40℃ ~ 150℃ (TJ)
查看数据手册 >
ESDALC6V1P5 符合标准
ESDALC6V1P5 海关信息
ESDALC6V1P5 概述
●
极性Polarization| 单向 Unidirectional \---|--- 反向关断电压/工作电压VRWMReverse Standoff Voltage| 3V 反向击穿电压VBRBreakdown Voltage| 6.1V 峰值脉冲耗散功率PPPMPeak Pulse Power Dissipation| 30W 峰值脉冲电流IPPmPeak Forward Surge Current| 额定耗散功率PdPower dissipation| Description & Applications| Low capacitance arrays for ESD protection;Features • 2 to 4 unidirectional Transil functions • Breakdown voltage VBR = 6.1 V min. • Low leakage current < 100 nA • Low capacitance (7.5 pF @ 3 V) • Very small PCB area < 2.6 mm2 描述与应用| 低电容ESD保护阵列;特性 • 2至4个通道单向TRANSIL功能 • 最小击穿电压VBR=6.1V。 • 低漏电流<100 nA • 低电容（7.5 pF@3 V） • 非常小的PCB面积<2.6平方毫米
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