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IPB65R110CFD 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

INFINEON IPB65R110CFD 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 31.2 A, 700 V, 0.099 ohm, 10 V, 4 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IPB65R110CFD 数据手册 (20 页)

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IPB65R110CFD 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.099 Ω

极性

N-Channel

功耗

277.8 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

700 V

连续漏极电流(Ids)

31.2A

上升时间

11 ns

输入电容值(Ciss)

3240pF @100V(Vds)

额定功率(Max)

277.8 W

下降时间

6 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

277.8W (Tc)

查看数据手册 >

IPB65R110CFD 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

10.31 mm

宽度

4.57 mm

高度

9.45 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IPB65R110CFD 符合标准

IPB65R110CFD 概述

IPB65R110CFD 数据手册

Infineon（英飞凌）

20 页 / 3.76 MByte

IPB65R110CFD 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IPB65R110CFD 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

52 页 / 3.25 MByte

IPB65R110CFD 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IPB65R110 数据手册

IPB65R110CFDATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON IPB65R110CFDATMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 31.2 A, 700 V, 0.099 ohm, 10 V, 4 V

IPB65R110CFD 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON IPB65R110CFD 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 31.2 A, 700 V, 0.099 ohm, 10 V, 4 V

IPB65R110CFDAATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

晶体管, MOSFET, N沟道, 31.2 A, 650 V, 0.099 ohm, 10 V, 4 V

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650V,110mΩ,31.2A,N沟道功率MOSFET

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N沟道 650V 22A

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