￥ 6.143

IPB65R110CFDAATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

晶体管, MOSFET, N沟道, 31.2 A, 650 V, 0.099 ohm, 10 V, 4 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IPB65R110CFDAATMA1 数据手册 (16 页)

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IPB65R110CFDAATMA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.099 Ω

极性

N-CH

功耗

277.8 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

650 V

连续漏极电流(Ids)

31.2A

上升时间

11 ns

输入电容值(Ciss)

3240pF @100V(Vds)

下降时间

6 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

277.8W (Tc)

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IPB65R110CFDAATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

10 mm

宽度

9.25 mm

高度

4.4 mm

工作温度

-40℃ ~ 150℃

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IPB65R110CFDAATMA1 符合标准

IPB65R110CFDAATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

16 页 / 2.27 MByte

IPB65R110CFDAATMA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IPB65R110CFDAATMA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

52 页 / 3.25 MByte

IPB65R110CFDAATMA1 开发手册

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56 页 / 6.94 MByte

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