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IPB90R340C3
3.131
IPB90R340C3 数据手册 (10 页)
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IPB90R340C3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-263-3
通道数
1 Channel
漏源极电阻
280 mΩ
极性
N-CH
功耗
208 W
阈值电压
2.5 V
漏源极电压(Vds)
900 V
漏源击穿电压
900 V
连续漏极电流(Ids)
15A
上升时间
20 ns
输入电容值(Ciss)
2400pF @100V(Vds)
下降时间
25 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
208 W

IPB90R340C3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
10 mm
宽度
9.25 mm
高度
4.4 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

IPB90R340C3 数据手册

Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.89 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
296 页 / 2.77 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

IPB90R340 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB90R340C3ATMA1, 15 A, Vds=900 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
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Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
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