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FDD6630A
0.248
FDD6630A 数据手册 (12 页)
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FDD6630A 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
30.0 V
额定电流
21.0 A
封装
TO-252-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
28 mΩ
极性
N-Channel
功耗
28 W
阈值电压
1.7 V
输入电容
462 pF
栅电荷
5.00 nC
漏源极电压(Vds)
30 V
漏源击穿电压
30.0 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
21.0 A
上升时间
8 ns
输入电容值(Ciss)
462pF @15V(Vds)
额定功率(Max)
1.3 W
下降时间
13 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
28 W

FDD6630A 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.73 mm
宽度
6.22 mm
高度
2.39 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

FDD6630A 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
12 页 / 0.26 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
18 页 / 0.94 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.15 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
7 页 / 0.87 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.14 MByte

FDD6630 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDD6630A  晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 30 V, 28 mohm, 10 V, 1.7 V
ON Semiconductor(安森美)
FDD6630A 系列 30 V 35 mOhm N 沟道 PowerTrench Mosfet TO-252
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
30V N通道PowerTrenchà ? MOSFET 30V N-Channel PowerTrenchÒ MOSFET
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