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IPD068P03L3GATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

INFINEON IPD068P03L3GATMA1 晶体管, MOSFET, P沟道, -70 A, -30 V, 0.005 ohm, -10 V, -1.5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IPD068P03L3GATMA1 数据手册 (9 页)

封装尺寸在8 页

IPD068P03L3GATMA1 数据手册 (9 页)

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IPD068P03L3GATMA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.005 Ω

极性

P-Channel

功耗

100 W

阈值电压

1.5 V

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

30 V

上升时间

100 ns

输入电容值(Ciss)

7720pF @15V(Vds)

下降时间

31 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

100W (Tc)

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IPD068P03L3GATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.5 mm

宽度

6.22 mm

高度

2.3 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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IPD068P03L3GATMA1 符合标准

IPD068P03L3GATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.54 MByte

IPD068P03L3GATMA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.2 MByte

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