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IPD60R180P7
1.538

IPD60R180P7 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
3 Pin
封装
TO-252
功耗
72 W
上升时间
12 ns
输入电容值(Ciss)
1081pF @400V(Vds)
下降时间
8 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
72000 mW

IPD60R180P7 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃

IPD60R180P7 数据手册

Infineon(英飞凌)
14 页 / 1.17 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.89 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

IPD60R180 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
场效应管(MOSFET) IPD60R180P7S TO-252
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 600 V, 0.145 ohm, 10 V, 3.5 V
Infineon(英飞凌)
N沟道 600V 18A
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 600 V, 0.145 ohm, 10 V, 3.5 V
Infineon(英飞凌)
N沟道 600V 13A
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