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NVMFS5C612NLT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

SO-FL

描述:

60V,235A,1.5mΩ,N沟道功率汽车MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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NVMFS5C612NLT1G 数据手册 (1 页)

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NVMFS5C612NLT1G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SO-FL

针脚数

5 Position

漏源极电阻

0.00113 Ω

极性

N-CH

功耗

3.8 W

阈值电压

2 V

漏源极电压(Vds)

60 V

连续漏极电流(Ids)

36A

上升时间

51 ns

输入电容值(Ciss)

6660pF @25V(Vds)

下降时间

18 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

3.8W (Ta), 167W (Tc)

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NVMFS5C612NLT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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NVMFS5C612NLT1G 符合标准

NVMFS5C612NLT1G 概述

NVMFS5C612NLT1G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

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NVMFS5C612NLT1 数据手册

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60V,235A,1.5mΩ,N沟道功率汽车MOSFET

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