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IPD60R1K0CE 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

封装:

TO-252-3

描述:

650V,6.8A,N沟道功率MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IPD60R1K0CE 数据手册 (14 页)

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IPD60R1K0CE 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

极性

N-CH

功耗

37 W

漏源极电压(Vds)

600 V

连续漏极电流(Ids)

4.3A

上升时间

8 ns

输入电容值(Ciss)

280pF @100V(Vds)

下降时间

13 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

37000 mW

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IPD60R1K0CE 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.5 mm

宽度

6.22 mm

高度

2.3 mm

工作温度

-40℃ ~ 150℃

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IPD60R1K0CE 符合标准

IPD60R1K0CE 海关信息

IPD60R1K0CE 数据手册

Infineon（英飞凌）

14 页 / 1.51 MByte

IPD60R1K0CE 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IPD60R1K0CE 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

51 页 / 2.6 MByte

IPD60R1K0CE 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

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Infineon（英飞凌）

650V,6.8A,N沟道功率MOSFET

IPD60R1K0CEAUMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

晶体管, MOSFET, N沟道, 6.8 A, 600 V, 0.86 ohm, 10 V, 3 V

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